[发明专利]高压元件有效
| 申请号： | 200710162197.9 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101252147A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 蒋柏煜;黄宗义;陈富信;李定邦;巫宗晔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压元件，包括：半导体基板；第一阱区，位于上述半导体基板中，上述第一阱区具有第一导电类型；第二阱区，位于上述半导体基板中，且相邻于上述第一阱区，上述第二阱区具有相反于上述第一导电类型的第二导电类型；场效应环状物，形成于一部分上述第一阱区上，其中上述场效应环状物的顶面包括至少一个曲面凹陷，上述场效应环状物具有上述第二导电类型；场效应电介质区，形成于一部分上述场效应环状物上，且延伸至上述第一阱区；栅极结构，形成于一部分上述场效应电介质区上，且延伸至一部分上述第二阱区。本发明能够增加元件击穿电压，同时维持导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 | ||
【主权项】：
1.一种高压元件，包括：半导体基板；第一阱区，位于该半导体基板中，该第一阱区具有第一导电类型；第二阱区，位于该半导体基板中，且相邻于该第一阱区，该第二阱区具有相反于该第一导电类型的第二导电类型；场效应环状物，形成于一部分该第一阱区上，其中该场效应环状物的顶面包括至少一个曲面凹陷，该场效应环状物具有该第二导电类型；场效应电介质区，形成于一部分该场效应环状物上，且延伸至该第一阱区；以及栅极结构，形成于一部分该场效应电介质区上，且延伸至一部分该第二阱区。
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