[发明专利]薄膜晶体管阵列基板,制造方法及含该基板的液晶显示装置有效
申请号: | 200710162379.6 | 申请日: | 2007-09-29 |
公开(公告)号: | CN101136415A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 董承远;李佑俊 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/51;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 臧霁晨;刘宗杰 |
地址: | 21530*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示了一种薄膜晶体管阵列基板,包括多条信号线、与信号线相互交叉设置的多条栅极线、像素电极以及薄膜晶体管,其中设置在信号线层与栅极线层之间的栅极绝缘层具有被注入离子元素而形成的离子注入区域。本发明还揭示了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。该方法包括:形成栅极线和信号线;形成栅极绝缘层;形成薄膜晶体管,其源极与由栅极线和信号线相互交叉所确定的像素区域中的像素电极电性连接和其漏极与信号线电性连接;在该栅极绝缘层的部分区域注入离子元素并形成离子注入区域。采用本发明的薄膜晶体管阵列基板和制造方法,可以降低栅极绝缘层的介电常数,以此来降低馈通电压和减小直流偏压,并提高液晶面板的显示效果。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括多条信号线、与信号线相互交叉设置的多条栅极线、设置于所述信号线和所述栅极线相互交叉形成的像素区域中的像素电极,以及设置在所述信号线和所述栅极线的交叉处附近的薄膜晶体管,所述信号线与栅极线分别设置于信号线层与栅极线层,所述薄膜晶体管具有栅极、与所述像素电极电性连接的源极和与所述信号线电性连接的漏极,其中,所述信号线层与所述栅极线层之间设有栅极绝缘层,其特征在于,所述栅极绝缘层具有被注入离子元素而形成的离子注入区域,并且所述离子注入区域与所述源极相对设置,其中所注入的离子元素降低所述离子注入区域的介电常数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山龙腾光电有限公司,未经昆山龙腾光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710162379.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:下水管堵塞报警器
- 下一篇:像素阵列结构及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的