[发明专利]薄膜晶体管阵列基板,制造方法及含该基板的液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 200710162379.6 申请日: 2007-09-29
公开(公告)号: CN101136415A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 董承远;李佑俊 申请(专利权)人: 昆山龙腾光电有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L29/51;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/768;G02F1/1362
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 臧霁晨;刘宗杰
地址: 21530*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明揭示了一种薄膜晶体管阵列基板,包括多条信号线、与信号线相互交叉设置的多条栅极线、像素电极以及薄膜晶体管,其中设置在信号线层与栅极线层之间的栅极绝缘层具有被注入离子元素而形成的离子注入区域。本发明还揭示了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。该方法包括:形成栅极线和信号线;形成栅极绝缘层;形成薄膜晶体管,其源极与由栅极线和信号线相互交叉所确定的像素区域中的像素电极电性连接和其漏极与信号线电性连接;在该栅极绝缘层的部分区域注入离子元素并形成离子注入区域。采用本发明的薄膜晶体管阵列基板和制造方法,可以降低栅极绝缘层的介电常数,以此来降低馈通电压和减小直流偏压,并提高液晶面板的显示效果。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 液晶 显示装置
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括多条信号线、与信号线相互交叉设置的多条栅极线、设置于所述信号线和所述栅极线相互交叉形成的像素区域中的像素电极,以及设置在所述信号线和所述栅极线的交叉处附近的薄膜晶体管,所述信号线与栅极线分别设置于信号线层与栅极线层,所述薄膜晶体管具有栅极、与所述像素电极电性连接的源极和与所述信号线电性连接的漏极,其中,所述信号线层与所述栅极线层之间设有栅极绝缘层,其特征在于,所述栅极绝缘层具有被注入离子元素而形成的离子注入区域,并且所述离子注入区域与所述源极相对设置,其中所注入的离子元素降低所述离子注入区域的介电常数。
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