[发明专利]等离子体生成装置、等离子体控制方法和基板制造方法有效

专利信息
申请号: 200710162403.6 申请日: 2003-12-12
公开(公告)号: CN101128084A 公开(公告)日: 2008-02-20
发明(设计)人: 三宅正司;江部明宪;庄司多津男;节原裕一 申请(专利权)人: 独立行政法人科学技术振兴机构;三宅正司;江部明宪
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;H01L21/306;H01L21/205;C23C14/54
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 刘建
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供一种可在空间均匀生成高密度等离子体的等离子体生成装置,在真空容器(11)的侧壁设置多个天线(16),相对3-4个天线(16),经板状导体(19)并联连接1个高频电源。各天线(16)的导体长度比在真空容器内生成的感应电磁波的波长之1/4还短。通过如此设定天线导体的长度,可防止产生驻波,由此可防止损害真空容器的等离子体之均匀性。另外,因为通过使用板状导体(19)可高效放热,所以可抑制阻抗的上升。
搜索关键词: 等离子体 生成 装置 控制 方法 制造
【主权项】:
1.一种等离子体生成装置,其特征在于:具备a)真空容器;b)设置在所述真空容器内、装载被处理基板的基板台;和c)在所述真空容器内、大致平行地排列在所述基板台上的多个高频天线,其中,将对应于所述基板台的目的区域的位置的天线的纵横比,设定成对应于该目的区域中的目的等离子体密度或等离子体电子能量的值。
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