[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明提供一种存储容量大且可高速读取、写入的ROM及存储容量大且数据保持电流少的RAM。本发明的半导体存储装置包括：非易失性存储器，其具有第1读取时间；随机存取存储器，其具有读取时间较所述第1读取时间短100倍以上的第2读取时间；控制电路，其与所述非易失性存储器及所述随机存取存储器连接，用于控制对所述随机存取存储器及所述非易失性存储器的存取；及多个输入输出端子，与所述控制电路连接，其中所述控制电路按照从所述多个输入输出端子输入的信号，控制所述非易失性存储器和所述随机存取存储器之间的数据传送。

主权项

1.一种存储模块，包含：非易失性存储器[FLASH]；随机存取存储器[DRAM]；指令寄存器[图2，REG]，其中写入载入指令码，所述载入指令码从所述存储模块的外部被输入；控制器[CTL_LOGIC]，用于控制所述非易失性存储器和所述随机存取存储器，以便在所述载入指令码被写入所述指令寄存器时，将数据从所述非易失性存储器传送到所述随机存取存储器；以及第一端子[WAIT]，用于在将数据从所述非易失性存储器传送到所述随机存取存储器期间输出信号。