[发明专利]MEMS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710162734.X | 申请日： | 2007-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101164863A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 稻叶正吾;佐藤彰;渡边徹;森岳志 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 党晓林 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值，并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有：在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10)；可动电极(20)，其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置，而且由多晶硅构成；以及配线层叠部，其在可动电极(20)周围形成，并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成，该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19)，固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物，形成有硅化物部分(25)。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件，其特征在于，该MEMS器件具有：固定电极，其形成在半导体基板上，由硅构成；可动电极，其与所述半导体基板隔开间隙并以机械可动的状态配置，该可动电极由硅构成；和配线层叠部，其形成在所述可动电极的周围，并且以覆盖所述固定电极的一部分的方式形成，该配线层叠部包括配线，在所述固定电极或者所述可动电极中射入有杂质离子，而且所述固定电极的由所述配线层叠部覆盖的部分的至少一部分转化为了硅化物。
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