[发明专利]功率金属氧化物硅场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种功率金属氧化物硅场效应晶体管，其中源极彼此连接，单个源极向两个沟道提供电子，使所述源极和沟道之间的接触表面不同变化以最大化从而大电流在小面积中流动，以及电场不会朝栅极边缘集中。

主权项

1.一种装置，包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底之上的多个栅极；在所述半导体衬底之上和相邻所述多个栅极处组成阵列的多个基区；以及围绕并延伸在相邻基区之间的多个源极间连接图案，用于向所述多个栅极提供电流，其中所述源极间连接图案具有延伸至所述多个栅极的接触区域的预定几何图案。