[发明专利]应用于模块集成电路的金属导电结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200710163159.5 | 申请日： | 2007-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101409270A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 黄忠谔;罗仕孟;陈圣文 | 申请（专利权）人： | 海华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁 挥;张燕华 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种应用于模块集成电路的金属导电结构，其包括：一大晶片、一第一绝缘单元及一第一导电单元。该大晶片具有一本体及至少一贯穿该本体的穿孔。该第一绝缘单元具有一成形于该至少一穿孔的内表面的第一内绝缘层及一从该第一内绝缘层延伸而出并成形于该本体的第一部分下表面的第一外绝缘层。该第一导电单元具有一成形于该第一内绝缘层上的第一内导电层及至少一成形于该第一外绝缘层上的第一导通点。通过导通一模块集成电路的上、下层电路，以制作出一以硅大晶片为载板的模块集成电路。本发明整合现有的半导体蚀刻与沉积的技术，并结合模块集成电路的开发，以提供一低成本、容易制作的金属导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 模块 集成电路 金属 导电 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种应用于模块集成电路的金属导电结构，其特征在于，包括：一大晶片，其具有一本体及至少一贯穿该本体的穿孔；一第一绝缘单元，其具有一成形于该至少一穿孔的内表面的第一内绝缘层及一从该第一内绝缘层延伸而出并成形于该本体的第一部分下表面的第一外绝缘层；以及一第一导电单元，其具有一成形于该第一内绝缘层上的第一内导电层及至少一成形于该第一外绝缘层上的第一导通点。
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