[发明专利]改善集成电路器件中接触窗因短路漏电的方法及其接触窗无效
| 申请号： | 200710163424.X | 申请日： | 2007-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101419934A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 张进刚;李咏絮;任丙振 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路器件，且特别涉及一种改善集成电路器件中接触窗因短路漏电的方法及由此形成的接触窗。此种改善集成电路器件中接触窗因短路漏电的方法包括：步骤1，蚀刻后形成接触窗；步骤2，在蚀刻后形成接触窗的晶片表面沉积一层绝缘体薄膜；步骤3，平坦化蚀刻，在接触窗侧壁形成一层绝缘体薄膜。本发明通过在现有的接触窗侧壁形成一层绝缘体薄膜，从而阻绝了导体残渣与接触窗直接接触，在接触窗内填充导体后，便不会与导体残渣连接导通，因此可以明显的改善集成电路器件生产工艺中接触窗因短路漏电，从而提高产品的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 集成电路 器件 接触 短路 漏电 方法 及其 | ||
【主权项】：
1. 一种改善集成电路器件中接触窗因短路漏电的方法，其特征在于包括下列步骤：步骤1，蚀刻后形成接触窗；步骤2，在蚀刻后形成接触窗的晶片表面沉积一层绝缘体薄膜；步骤3，平坦化蚀刻，在接触窗侧壁形成一层绝缘体薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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