[发明专利]使用二次工艺平面快速传导冷却无效
| 申请号： | 200710163593.3 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101207010A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 库赫斯特·索瑞伯基;亚历山大·N·勒纳 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了一种用于热处理衬底的方法和装置。该装置包括配置为通过磁驱动线性移动和/或旋转移动的衬底支架。该衬底支架还配置为接收辐射热源在腔室的一部分中提供加热区。包括冷却板的有源冷却区与加热区相对设置。衬底可以在该两个区域之间移动以便于衬底的快速可控加热和冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 二次 工艺 平面 快速 传导 冷却 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理装置，包括：腔室；设置在所述腔室中的磁驱动衬底支架，其包括配置为在其上表面上支撑所述衬底的环形体；与所述环形体耦接的环形延伸；以及与所述环形体耦合的窗口，其中所述窗口设置在衬底下方并透光和透热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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