[发明专利]以高折光率纳米粒子堆积所装置之发光二极管组件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710163654.6 | 申请日： | 2007-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101414651A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 洪绢欲 | 申请（专利权）人： | 洪绢欲 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/00;H01L25/075;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙 刚 |
| 地址： | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可提升发光二极管封装组件的出光效率的方法与构造。其采用本质上光学透明且具有高折光率的纳米尺度粒子为主体，经由一定的均匀堆积处理，或再辅以其它物质填充于上述纳米粒子的间隙中，形成一具高折光率的纳米透光层，并与发光二极管芯片光学接触，以导出芯片所发出的光线。经此材料所装置的发光二极管组件，因其纳米透光层与发光芯片材料间的折光率差减小，甚至为零，故可大为增加光线于材料界面上的临界全反射角，即减少光线的内部全反射，大为提升发光二极管组件的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 折光 纳米 粒子 堆积 装置 发光二极管 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管组件，包含：至少一发光二极管芯片；一基座，提供该发光二极管芯片结构的固定与电性的连接；一纳米透光层，光学接触于所述发光二极管芯片的至少一部份的表面；其特征在于：所述纳米透光层至少是由折光率大于1.65、平均粒径小于100nm且均匀堆积的纳米粉体所构成，所述纳米粉体对所述芯片所发出的光波长大体上为透明。
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