[发明专利]处理基片的装置和方法及供应等离子体的方法

摘要

本发明公开了一种处理基片的装置和方法及供应等离子体的方法，有效地解决了剥离基片上的光致抗蚀剂或残渣的问题。其中装置包括第一生成单元，用于向放电空间供应第一源气体，并给供应的第一源气体放电以生成第一等离子体；第二生成单元，用于向第一等离子体的流动路径上供应第二源气体，并利用第一等离子体给供应的第二源气体放电，以生成第二等离子体；以及处理室，将第一等离子体及第二等离子体供应到处理室，并且在处理室中装载有利用第一等离子体和第二等离子体处理的目标基片。可应用于清洗处理、刻蚀工艺、表面改性工艺以及利用等离子体的所有工艺中。

主权项

1.一种处理基片的装置，包括：第一生成单元，用于向放电空间供应第一源气体，并给供应的第一源气体放电以生成第一等离子体；第二生成单元，用于向所述第一等离子体的流动路径上供应第二源气体，并利用第一等离子体给供应的第二源气体放电，以生成第二等离子体；以及处理室，将所述第一等离子体及所述第二等离子体供应到所述处理室，所述处理室中装载有利用所述第一等离子体和所述第二等离子体处理的目标基片。