[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710164216.1 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101159261A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 山野孝治 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/18;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，其包括：第一半导体芯片；多层配线，其在所述第一半导体芯片上形成并且与所述第一半导体芯片连接；第二半导体芯片，其经由多层配线与所述第一半导体芯片连接；封装材料，其封装所述第二半导体芯片；以及突出插塞，其与所述多层配线连接并且其末端从所述封装材料中露出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一半导体芯片；多层配线，其在所述第一半导体芯片上形成并且与所述第一半导体芯片连接；第二半导体芯片，其经由所述多层配线与所述第一半导体芯片连接；封装材料，其封装所述第二半导体芯片；以及突出插塞，其与所述多层配线连接并且其顶端从所述封装材料中露出。
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