[发明专利]发光二极管的封装结构及其制作方法无效
申请号: | 200710164267.4 | 申请日: | 2007-10-17 |
公开(公告)号: | CN101414652A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 叶秀慧 | 申请(专利权)人: | 叶秀慧 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L23/488;H01L23/31;H01L23/14 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;李丙林 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明披露一种发光二极管的封装结构及其制作方法,包括:具有第一表面及第二表面的载板;金属层,配置在载板的第一表面上且金属层的中央区域配置有贯穿的孔洞,以裸露出载板的部份第一表面;发光二极管,具有发光功能的半导体层的两侧边上配置有N电极及P电极,且P电极与金属层的第一表面形成电性连接;第一电性连接组件与金属层形成电性连接;第二电性连接组件,与N电极形成电性连接;及封胶体,用以包覆发光二极管、金属层及裸露出第一电性连接组件及第二电性连接组件。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1. 一种发光二极管的封装结构,包括:载板,具有第一表面及第二表面;金属层,具有上表面及下表面,所述下表面固接于所述载板的第一表面上,所述金属层的中央区域配置有贯穿所述上表面及所述下表面的孔洞以裸露出部份所述载板的第一表面;发光二极管,其具有发光功能的半导体层的两侧边上配置有N电极及P电极,且所述P电极与一部份所述金属层的所述上表面形成电性连接;第一电性连接组件,与所述金属层的另一部份上表面形成电性连接;第二电性连接组件,与所述发光二极管的所述N电极电性连接;及封胶体,包覆所述发光二极管、所述金属层、一部份所述第一电性连接组件以及一部份所述第二电性连接组件,而所述第一电性连接组件及所述第二电性连接组件的另一部份裸露于所述封胶体外。
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