[发明专利]在化学机械抛光期间调节低k对铜除去速率的方法和浆料无效
| 申请号： | 200710164697.6 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101372089A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | J·A·西迪奎;R·D·麦克康奈尔;S·厄斯马尼 | 申请（专利权）人： | 杜邦纳米材料气体产品有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00;B24B37/04;H01L21/304;C09G1/06;C09G1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王颖煜;韦欣华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在化学机械抛光期间调节低k对铜除去速率的方法和浆料。其中描述了一种用于在半导体晶片上的金属衬底的化学机械平面化(CMP)的组合物及相关方法。组合物包含非离子碳氟表面活性剂和过型氧化剂(例如过氧化氢)。组合物及相关方法对于在铜CMP期间控制低k材料除去速率是有效的，并提供低k膜除去速率相对于铜、钽和氧化膜除去速率的可调节能力。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 期间 调节 除去 速率 方法 浆料 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械平面化方法，其包括：将具有表面的衬底与抛光衬垫和置于所述抛光衬垫和所述表面之间的抛光组合物可移动地接触，所述表面包括铜、低k介电材料和阻挡层材料，所述抛光组合物含有0.5％至9％的过型氧化剂以及10ppm至4000ppm的非离子氟表面活性剂，其中与在抛光期间使用其它相同、但不含非离子氟表面活性剂的浆料得到的所述低k材料的除去速率相比，所述非离子氟表面活性剂降低了所述低k材料的除去速率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杜邦纳米材料气体产品有限公司，未经杜邦纳米材料气体产品有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710164697.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：抑制杂讯干扰装置
- 下一篇：布质乒乓球拍底板贴面
