[发明专利]位置控制双磁控管有效
| 申请号： | 200710165350.3 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101195906A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托夫·M·帕夫洛夫;温莎·拉姆;则－敬·巩;洪·S·杨;伊扬·理查德·洪 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01J25/50 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种双磁控管(60)，用于等离子体溅射，其包括源磁控管(62)和辅助磁控管(64)，每一个都关于各自半径处的靶(18)的中心(14)旋转。在溅射沉积(112)和靶清洗(116)之间磁控管的位置能在互补半径方向上移动。磁控管具有不同的尺寸、强度和不平衡特性。源磁控管较小、较结实且是不平衡源磁控管，并且被定位在溅射沉积和蚀刻的晶片边缘附近。辅助磁控管较大，较不牢固，并且较平衡，而且用于清洗靶中心内部和从溅射沉积中的源磁控管导走溅射离子。每个磁控管可在径向外部位置处都使其等离子体短路。 | ||
| 搜索关键词： | 位置 控制 双磁控管 | ||
【主权项】：
1.一种在等离子体溅射室中靶附近使用的磁控管系统，包括：构成为固定到沿着旋转轴延伸的旋转杆的臂；旋转地安装到远离旋转轴设置的枢轴线处的臂上的偏转部件；第一磁控管，其被支撑在偏转部件的第一位置处；以及第二磁控管，其具有不同于第一磁控管的结构，被支撑在偏转部件上的第二位置处；其中偏转部件在一个方向上的旋转引起第一磁控管远离旋转轴移动且第二磁控管向着旋转轴移动。
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