[发明专利]用流动梯度设计沉积均匀硅膜的方法和装置有效
申请号: | 200710165353.7 | 申请日: | 2007-10-26 |
公开(公告)号: | CN101319309A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 崔寿永;元泰景;约翰·M·怀特 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种由气体分布板产生流动梯度的方法和装置。在一个实施例中,该方法和装置特别用于,但不限于,沉积太阳能电池用硅膜。沉积太阳能电池用均匀硅膜的装置包括处理室,和设置在处理室中并具有至少四个由四个边分隔的角的四边形的气体分布板。该气体分布板还包括穿过气体分布板形成的第一多个节流口,该第一多个节流口位于角中,和穿过气体分布板形成的第二多个气体节流口,该第二多个节流口沿角区域之间的边设置,其中第一多个节流口具有比第二多个节流口更大的流动阻力。 | ||
搜索关键词: | 流动 梯度 设计 沉积 均匀 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种用于沉积适于太阳能电池用膜的装置,包括处理室;以及沉积在处理室中并具有至少四个有四个边分隔的角的四边形气体分布板,该气体分布板还包括:穿过气体分布板形成的第一多个节流口,所述第一多个节流口设置于角中;以及穿过气体分布板形成的第二多个节流口,所述第二多个节流口沿角区域之间的气体分布板的侧面设置,其中所述第一多个节流口具有比所述第二多个节流口更大的流动阻力。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的