[发明专利]等离子体反应器基板安装表面毛化有效
申请号: | 200710165354.1 | 申请日: | 2007-10-26 |
公开(公告)号: | CN101191203A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 约翰·M·怀特;志飞·叶 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C03C17/00;H01L21/687 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明一般提供用于在等离子体反应器中为大面积基板提供必要电容去耦的装置和方法。本发明的一个实施例提供用于在等离子体反应器中使用的基板支架,该基板支架包括电导体,该电导体包括具有用于接触大面积基板的背面的多个突起区域的顶面,该多个突起区域占据小于大约50%的顶面表面积。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 反应器 安装 表面 | ||
【主权项】:
1.一种用于在等离子体反应器中使用的基板支架,包括:构造作为等离子体反应器的电极的电导体,其中所述电导体具有构造为用于支撑大面积基板并为该大面积基板提供热能的顶面,所述顶面具有用于接触该大面积基板的背面的多个突起区域,并且所述多个突起区域占据小于大约50%的顶面表面积。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的