[发明专利]集成电路结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200710165593.7 | 申请日： | 2007-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101308793A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张简旭珂;黄婉婷;简钰人;孙钟仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/822;H01L21/768;H01L27/04;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种集成电路结构及其形成方法，该方法包括提供一表面，再对该表面进行离子化氧处理。接着使用包括第一含氧气体和四乙氧基硅烷(Tetraethoxysilane；TEOS)的第一工艺气体来形成包含有氧化硅的起始层。然后在起始层上形成硅酸盐玻璃。该方法还包括使用包括第二含氧气体和四乙氧基硅烷的第二工艺气体来形成缓冲层，其中第一工艺气体和第二工艺气体具有不同的氧/四乙氧基硅烷比。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成一集成电路结构的方法，包括：提供一表面；对该表面进行一离子化氧处理；使用包括一第一含氧气体和四乙氧基硅烷的一第一工艺气体来形成包含有氧化硅的一起始层；以及在该起始层上形成一硅酸盐玻璃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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