[发明专利]存储元件和存储器无效
| 申请号： | 200710165918.1 | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101174670A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 五十岚实 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种存储元件，其包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来存储信息；以及磁化方向固定的磁化固定层，并且在存储层和磁化固定层之间设置有非磁性层。通过沿堆叠方向施加电流以改变存储层的磁化方向来将信息记录在存储层中。磁化固定层包括多个铁磁层，在多个铁磁层之间堆叠有非磁性层，并且磁化固定层包括具有沿堆叠方向的磁化分量和沿各自相反方向的磁化的磁化区域。这些磁化区域形成在多个铁磁层之中最接近存储层放置的至少一个铁磁层的两端处。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储元件，包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来存储信息；以及磁化固定层，其磁化方向固定，并且在所述存储层和所述磁化固定层之间设置有非磁性层，其中，通过沿堆叠方向施加电流以改变所述存储层的磁化方向来将信息记录在所述存储层中，所述磁化固定层包括多个铁磁层，在所述多个铁磁层之间堆叠有非磁性层，以及所述磁化固定层包括具有沿所述堆叠方向的磁化分量和沿互不相同的方向的磁化的磁化区域，所述磁化区域形成在所述多个铁磁层中最接近所述存储层放置的至少一个铁磁层的两端处。
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