[发明专利]光掩膜及其制造方法无效
| 申请号： | 200710166401.4 | 申请日： | 2007-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101286009A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 林政旻;许博铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/14;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种光掩膜及其制造方法，该相位偏移光掩膜是一种使用两个独立曝光制程所制备的相位偏移光掩膜。此一光掩膜包括基材和位于基材上的元件图案区。此光掩膜具有用来定义元件图案的边界的罩幕图案，以及用来定义罩幕图案的边界的管理图案区。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微影方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基材，使该基材具有一相位偏移层形成于该基材上，且该基材具有一衰减层形成于该相位偏移层之上；对该相位偏移层和该衰减层进行第一次曝光；蚀刻该相位偏移层和该衰减层，以定义出一元件图案区；对该衰减层进行第二次曝光，其中该第二次曝光只针对进行一后续蚀刻之后会余留于该基材上的一部份该衰减层进行曝光；以及进行该后续蚀刻。
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