[发明专利]具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构有效

专利信息
申请号: 200710166452.7 申请日: 2007-11-13
公开(公告)号: CN101315933A 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: 李宗霖;张长昀;吕升达;杨富量 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/085 分类号: H01L27/085;H01L27/088;H01L27/092
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 陈红
地址: 台湾省新竹市新*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及一种具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构,包括半导体基材;以及在半导体基材上的表面上设有第一鳍式场效应晶体管与第二鳍式场效应晶体管。第一鳍式场效应晶体管包括第一鳍片;以及覆盖于第一鳍片的上表面及多个侧壁上的第一栅极。第二鳍式场效应晶体管包括与第一鳍片相隔一鳍片间隙的第二鳍片;以及覆盖于第二鳍片的上表面及多个侧壁上的第二栅极。第一栅极与第二栅极为电性隔离。第一栅极与第二栅极的栅极高度大于约一半的鳍片间隙。
搜索关键词: 具有 多个鳍式 场效应 晶体管 半导体 结构
【主权项】:
1、一种具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构,其特征在于,至少包含:一半导体基材;一第一鳍式场效应晶体管,该第一鳍式场效应晶体管位于该半导体基材的一表面,且该第一鳍式场效应晶体管至少包含:一第一鳍片;以及一第一栅极位于该第一鳍片的一上表面及多个侧壁;以及一第二鳍式场效应晶体管,该第二鳍式场效应晶体管位于该半导体基材的表面,且该第二鳍式场效应晶体管至少包含:一第二鳍片,该第二鳍片通过一鳍片间隙与该第一鳍片分开;以及一第二栅极位于该第二鳍片的一上表面及多个侧壁,其中该第一栅极及该第二栅极的一栅极高度大于该鳍片间隙的一半。
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