[发明专利]具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构有效
申请号: | 200710166452.7 | 申请日: | 2007-11-13 |
公开(公告)号: | CN101315933A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 李宗霖;张长昀;吕升达;杨富量 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/085 | 分类号: | H01L27/085;H01L27/088;H01L27/092 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 台湾省新竹市新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构,包括半导体基材;以及在半导体基材上的表面上设有第一鳍式场效应晶体管与第二鳍式场效应晶体管。第一鳍式场效应晶体管包括第一鳍片;以及覆盖于第一鳍片的上表面及多个侧壁上的第一栅极。第二鳍式场效应晶体管包括与第一鳍片相隔一鳍片间隙的第二鳍片;以及覆盖于第二鳍片的上表面及多个侧壁上的第二栅极。第一栅极与第二栅极为电性隔离。第一栅极与第二栅极的栅极高度大于约一半的鳍片间隙。 | ||
搜索关键词: | 具有 多个鳍式 场效应 晶体管 半导体 结构 | ||
【主权项】:
1、一种具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构,其特征在于,至少包含:一半导体基材;一第一鳍式场效应晶体管,该第一鳍式场效应晶体管位于该半导体基材的一表面,且该第一鳍式场效应晶体管至少包含:一第一鳍片;以及一第一栅极位于该第一鳍片的一上表面及多个侧壁;以及一第二鳍式场效应晶体管,该第二鳍式场效应晶体管位于该半导体基材的表面,且该第二鳍式场效应晶体管至少包含:一第二鳍片,该第二鳍片通过一鳍片间隙与该第一鳍片分开;以及一第二栅极位于该第二鳍片的一上表面及多个侧壁,其中该第一栅极及该第二栅极的一栅极高度大于该鳍片间隙的一半。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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