[发明专利]一种集成电路装置及存储矩阵有效
申请号: | 200710166453.1 | 申请日: | 2007-11-13 |
公开(公告)号: | CN101345250A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 李自强;梁春升;黄俊仁;杨富量 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L23/522 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 台湾省新竹市新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种集成电路装置和存储矩阵,该装置包含一晶体管具有第一接点、第二接点和第三接点;一第一接触栓塞连接该晶体管的第一接点;一第二接触栓塞连接该晶体管的第一接点;一第一电阻式存储单元具有第一端点和第二端点,而且该第一端点连接该第一接触栓塞;以及一第二电阻式存储矩阵具有第三端点和第四端点,而且该第三端点连接该第二接触栓塞。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成电路 装置 存储 矩阵 | ||
【主权项】:
1、一种集成电路装置,其特征在于,包含:一个晶体管,具有一第一接点、一第二接点以及一第三接点;一第一接触栓塞,连接该晶体管的该第一接点;一第二接触栓塞,连接该晶体管的该第一接点;一第一电阻式存储单元,具有一第一端点和一第二端点,其中该第一端点连接该第一接触栓塞;以及一第二电阻式存储单元,具有一第三端点和一第四端点,其中该第三端点连接该第二接触栓塞。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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