[发明专利]包括选择性刷新操作的电阻式存储器无效
| 申请号： | 200710166498.9 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101188139A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·哈普;扬·鲍里斯·菲利普 | 申请（专利权）人： | 奇梦达北美公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储器包括相变存储单元阵列和第一电路。该第一电路是用于响应于刷新操作请求来刷新相变存储单元阵列中的仅被编程为非晶态的存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 选择性 刷新 操作 电阻 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，包括：相变存储单元阵列；以及第一电路，用于响应于刷新操作请求来仅刷新所述相变存储单元阵列中的被编程为非晶态的存储单元。
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