[发明专利]集成电路、静态随机存取存储电路与存储器电路控制方法

摘要

集成电路、静态随机存取存储电路与存储器电路控制方法。提供一种双阶段字线脉冲的电路与方法，用以改善SRAM存储器存取周期的操作容限。提供第一与第二时序电路以及字线电压抑制电路，用以根据第一与第二时序电路在字线脉冲的第一阶段减少使能字线上的电压，并且在字线脉冲的第二阶段允许使能字线上的电压上升至未被抑制的电压。第一与第二时序电路观察字线上电压的放电，并且当位线放电至通过特定临界值时提供控制信号使能，这些信号控制电压抑制电路，因此可改进SRAM的操作容限。本说明书将提供使用双接段字线脉冲操作SRAM的方法与电路。本发明能同时改进SRAM的读取与写入周期的容限。

主权项

1.一种静态随机存取存储器电路，包括：多个静态存储器储存单元，安排成一列并且各静态存储器储存单元耦接至多个安排成一行的字线中的一条字线；一对互补位线，耦接至上述静态存储器储存单元，用于将一对差动数据信号传送至上述静态存储器储存单元以及从上述静态存储器储存单元传送一对差动数据信号；一检测放大器，包括各自耦接至上述互补位线对其中之一的一对差动输入端，用以检测上述差动输入端之间的差动电压；多个输入与输出数据线，用以根据多个控制信号自上述检测放大器传送与接收数据；以及字线解码器电路，用以根据解码地址输出被选择的上述字线上的脉冲，上述字线解码器电路还包括字线抑制电路，用以在上述字线的上述脉冲的第一阶段选择性地将上述字线上的电压降低预定数量，并在上述字线的上述脉冲的第二阶段释放上述字线以允许上述字线电压上升至较高电压值。