[发明专利]半导体工艺方法以及半导体装置系统有效
| 申请号： | 200710167103.7 | 申请日： | 2007-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101414570A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 于广友 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体工艺方法及半导体装置系统。该半导体工艺至少包含一第一高温炉管工艺以及一第二高温炉管工艺。此方法为对装载有至少一芯片的第一晶舟进行第一高温炉管工艺。然后，对装载有此芯片的第二晶舟进行第二高温炉管工艺。而且，在进行第二高温炉管工艺之前，进行一移动步骤，使芯片在第一晶舟上与芯片在第二晶舟上的相对位置不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 方法 以及 装置 系统 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体工艺方法，该半导体工艺至少包含一第一高温炉管工艺以及一第二高温炉管工艺，该方法包括：对装载有至少一芯片的第一晶舟进行该第一高温炉管工艺；以及对装载有该芯片的第二晶舟进行该第二高温炉管工艺，且在进行该第二高温炉管工艺之前，进行第一移动步骤，使该芯片在该第一晶舟上与该芯片在该第二晶舟上的相对位置不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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