[发明专利]凸块下金属层结构、晶圆结构与该晶圆结构的形成方法无效
| 申请号： | 200710167276.9 | 申请日： | 2007-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101159253A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 余瑞益 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽;刁文魁 |
| 地址： | 台湾省高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种凸块下金属层结构、晶圆结构以及该晶圆结构的形成方法。凸块下金属层结构包括一黏附层、一阻障层及一湿润层。黏附层设置在一晶圆的一接垫上，阻障层设置在黏附层上，湿润层设置在阻障层上。黏附层的材料为含硼的镍，阻障层的材料为钴，湿润层的材料为金。 | ||
| 搜索关键词： | 凸块下 金属 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种凸块下金属层结构，包括：一黏附层、一阻障层以及一湿润层，其中黏附层设置在一晶圆的一接垫上，阻障层设置在该黏附层上，以及湿润层设置在该阻障层上，其特征在于：该黏附层的材料为含硼的镍(Ni-B)，该阻障层材料为钴(Co)，该湿润层的材料为金(Au)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710167276.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
