[发明专利]基板处理装置和该装置的分析方法

摘要

本发明提供能够正确地检知收容室内的状态的基板处理装置的分析方法。在处理模块(2)中，测定在腔室内零件即将更换前的导入腔室前的处理气体的发光强度(42)和通过腔室内后的处理气体的发光强度(43)，在腔室内零件刚更换后，导入腔室前的处理气体的发光强度(44)与发光强度(42)一致的情况下，测定通过腔室内后的处理气体的发光强度(45)，计算该发光强度(45)和发光强度(43)的变动量(47)，在对晶片(W)的等离子体处理开始后，测定通过腔室内后的处理气体的发光强度(48)，从该发光强度(48)之中除去所述发光强度的变动量(47)，计算真正反映腔室(10)内的状态的发光强度(49)，并由该发光强度(49)检知等离子体处理的终点。

主权项

1.一种基板处理装置，其包括收容基板的收容室和向该收容室导入气体的气体导入装置，所述收容室具有在所述基板上用所述气体实施规定的处理的处理空间，所述基板处理装置的特征在于，包括：分析导入所述收容室前的气体的导入前气体分析装置；分析通过所述处理空间后的气体的通过后气体分析装置；和根据导入所述收容室前的气体分析结果和通过所述处理空间后的气体分析结果来检知所述收容室内的状态的状态检知装置，该状态检知装置，对在多个所述基板上实施所述规定的处理之前的通过所述处理空间后的气体分析结果对导入所述收容室前的气体分析结果的比进行计算，并对在多个所述基板上实施所述规定的处理之后的通过所述处理空间后的气体分析结果对导入所述收容室前的气体分析结果的比进行计算，以使得在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之前的比与在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之后的比相同的方式，计算用于对在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之后的通过所述处理空间后的气体分析结果进行校正的分析结果校正值，用该算出的分析结果校正值来校正通过所述处理空间后的气体分析结果。