[发明专利]制备稀土永磁体材料的方法有效
| 申请号： | 200710167610.0 | 申请日： | 2007-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101158024A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 中村元;美浓轮武久;广田晃一 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C8/60 | 分类号： | C23C8/60;C23C10/30;H01F1/053;C23F17/00;C22F1/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过用粉末覆盖R1－Fe－B组成的烧结磁体本体制备稀土永磁体材料，其中R1是稀土元素，上述粉末包含至少30重量％的R2aTbMcAdHe合金，其中R2是稀土元素，T是Fe和/或Co，M是Al、Cu等，且粉末的平均颗粒尺寸最大为100μm，并在合适的温度下对粉末覆盖后的磁体本体进行热处理，使得粉末中的R2、T、M和A被吸收到磁体本体中。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 稀土 永磁体 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备稀土永磁体材料的方法，包括如下步骤：在R1-Fe-B组成的烧结磁体本体的表面布置粉末，其中R1为选自包括Sc和Y在内的稀土元素的至少一种元素，所述粉末包含至少30重量％的R2 aTbMcAdHe 合金，其中R2为选自包括Sc和Y在内的稀土元素的至少一种元素，T是铁和/或钴，M是选自Al、Cu、Zn、In、Si、P、S、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta和W的至少一种元素，A是硼和/或碳，H是氢，且a到e表示基于合金的原子百分比，其范围是：15≤a≤80，0.1≤c≤15，0≤d≤30，0≤e≤(a×2.5)，且余量为b，且所述粉末的平均颗粒尺寸小于或等于100μm，且在真空或者惰性气体中、在低于或等于磁体本体烧结温度的温度下，热处理在其表面布置有粉末的磁体本体，以便吸收处理使得粉末中的R2和T、M和A中至少一种被吸收到磁体本体中。
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