[发明专利]闪速存储器装置及其编程方法无效
| 申请号： | 200710167621.9 | 申请日： | 2007-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101145395A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 安世镇;全台根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种闪速存储器装置和一种对一闪速存储器装置进行编程的方法，所述闪速存储器装置包括排列成行和列的一存储器单元阵列。方法包括：使用加载的数据对一选定行的存储器单元进行编程；确定所述选定行的存储器单元是否被成功地编程；当所判断的结果被确定是不成功的编程操作时，根据存储在所述闪速存储器装置中的指示重新编程操作的on/off状态的标志信息来确定一重新编程操作；以及，当所述标志信息指示所述重新编程信息的on状态时，将所述加载的数据重新编程到与所述选定行不同的一行存储器单元中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对一闪速存储器装置进行编程的方法，所述闪速存储器装置包括排列成行和列的一存储器单元阵列，所述方法包括：使用加载的数据对一选定行的存储器单元进行编程；确定所述选定行的存储器单元是否被成功地编程；当所述结果被确定为一不成功的编程操作时，根据存储在所述闪速存储器装置中的指示重新编程操作的on/off状态的标志信息来确定一重新编程操作；以及当所述标志信息指示所述重新编程信息的on状态时，将所述加载的数据重新编程到与所述选定行不同的一行存储器单元中。
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