[发明专利]采用保护的催化剂层的碳纳米管集成电路器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710167818.2 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101179050A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 郑丞弼;李善雨;崔永文;文成昊;尹洪植;崔锡宪;边炅来 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种制造集成电路器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上顺序地形成下部互连层、催化剂层以及缓冲层，形成层间介电层以覆盖缓冲层，形成穿过层间介电层的接触孔以便可部分地暴露缓冲层的顶面，去除缓冲层的由接触孔暴露的部分以便可以暴露催化剂层的顶面，以及从催化剂层的由接触孔暴露的部分生长碳纳米管以便接触孔可由碳纳米管填充。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 保护 催化剂 纳米 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：形成叠层，该叠层包括在衬底上的互连层、在所述互连层上的催化剂层以及在所述催化剂层上的缓冲层；在所述缓冲层上形成层间介电层；形成穿过所述层间介电层的孔以暴露所述缓冲层的一部分；去除所述缓冲层的暴露的部分以暴露所述催化剂层的一部分；以及在所述催化剂层的暴露的部分上生长碳纳米管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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