[发明专利]鳍式场效应晶体管装置的制造方法无效
| 申请号： | 200710167852.X | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101359622A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 张正宏;余振华;叶震南;傅竹韵;许育荣;陈鼎元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/84;H01L21/336;H01L21/22 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应晶体管装置的制造方法，包括下列步骤：提供基底，其包含第一鳍及第二鳍；形成第一材料层于该第一鳍上，其中该第一材料层包含第一种类的杂质；提供第二种类的杂质于该第二鳍上；以及对该基底进行高温工艺，该基底包含该第一材料层及该第二种类的杂质。本发明能够提供均一的掺杂分布而不产生阴影遮蔽效应，并且能够满足鳍式场效应晶体管装置的性能需求。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管装置的制造方法，包括下列步骤：提供基底，其包含第一鳍及第二鳍；形成第一材料层于该第一鳍上，其中该第一材料层包含第一种类的杂质；提供第二种类的杂质于该第二鳍上；以及对该基底进行高温工艺，该基底包含该第一材料层及该第二种类的杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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