[发明专利]有机强电介质膜的形成法、存储元件的制法、存储装置无效
申请号: | 200710168156.0 | 申请日: | 2007-11-13 |
公开(公告)号: | CN101188198A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 泷口宏志;柄泽润一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/312 | 分类号: | H01L21/312;H01L21/288;H01L21/336 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种有机强电介质膜的形成方法、存储元件的制造方法、存储装置和电子设备。具有:在基板2的一个面上涂布·干燥含有有机强电介质材料的液状材料,形成具有结晶度比有机强电介质膜4还低的结晶度、以有机强电介质材料作为主材料而构成的低结晶度膜4B的第1工序;和通过低结晶度膜4B的加热·加压,在对低结晶度膜4B整形的同时提高低结晶度膜4B的结晶度,形成有机强电介质膜4的第2工序。 | ||
搜索关键词: | 有机 电介质 形成 存储 元件 制法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种有机强电介质膜的形成方法,是以具有结晶性的有机强电介质材料作为主材料构成的有机强电介质膜的形成方法,该方法具有:在基板的一个面上形成结晶度比上述有机强电介质膜还低的结晶度的低结晶度膜的第1工序;和由上述低结晶度膜形成上述有机强电介质膜的第2工序,上述第1工序包括在上述基板的一个面上涂布·干燥含有上述有机强电介质材料的液状材料的工序;上述第2工序包括通过上述低结晶度膜的加热·加压,对上述低结晶度膜进行整形的同时提高上述低结晶度膜中的结晶度的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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