[发明专利]一种硫属相变存储器CRAM存储元无效
| 申请号： | 200710168408.X | 申请日： | 2007-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101159313A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王嘉赋;向宏酉;李娟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人： | 潘杰 |
| 地址： | 430070湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硫属相变存储器CRAM存储元，其材料层从下到上依次为：下电极；第一相变层；加热层；第二相变层和上电极；加热层尺寸小于相变层，第一相变层、加热层、第二相变层形成“工”形结构。本发明相比目前的硫属相变存储器CRAM的结构，不同之处在于合理利用了GST相变材料的隔热功能，使用了第一GST相变层+加热层+第二相变层的“工”形结构，充分利用了加热层的两端同时加热的功能以及利用GST相变材料的自身加热隔热功能提高加热效率并简化制造工艺，不仅在理论上给出了其优良性能的说明，而且通过模拟计算热场分布给出了较好的证明。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 属相 存储器 cram 存储 | ||
【主权项】：
1.一种硫属相变存储器CRAM存储元、其材料层从下至上依次为：下电极、第一相变层、加热层、第二相变层和上电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学，未经武汉理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710168408.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
