[发明专利]一种自发成核生长溴化铊单晶方法

摘要

一种自发成核生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：1)将溴化铊原料装入直径为8－15mm的圆柱形安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角为15－45°的圆锥形；2)将安瓿放入垂直管式炉，安瓿的圆锥端指向炉底部，垂直管式炉加热，使得溴化铊原料尖锥处温度不低于溴化铊熔点，并且从尖锥处向上至溴化铊原料的顶部区域内的温度以1.0－1.5℃/mm的温度梯度增高，再保温；3)管式炉以1－5℃/h的速度缓慢降温到450－460℃；4)安瓿随炉冷却至室温。本发明无须移动加热器和安瓿，省去了复杂的机械传动装置，简化了工艺，降低了成本。安瓿及加热器均固定，温场稳定，晶体及熔融体内部热分布较均匀，较易获得凸形的生长界面，生长出相当尺寸的完整性较好的溴化铊单晶。

主权项

1、一种自发成核生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：(1)将溴化铊原料装入直径为8-15mm的圆柱形安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角为15-45°的圆锥形；(2)将安瓿放入垂直管式炉，安瓿的圆锥端指向炉底部，管式炉加热，使得溴化铊原料尖锥处温度高于或等于溴化铊熔点，并且从尖锥处向上至溴化铊原料的顶部区域内的温度以1.0-1.5℃/mm的温度梯度增高，保温；(3)管式炉以1-5℃/h的速度缓慢降温到450-460℃；(4)安瓿随炉自然冷却至室温。