[发明专利]一种无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法有效
| 申请号： | 200710168947.3 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101260563A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 周东祥;余石金;龚树萍;郑志平;权琳 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B23/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：(1)清洁圆柱形安瓿；(2)将溴化铊原料填充安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角15～35°、高度10～40mm的圆锥形；(3)将安瓿放入垂直管式炉，其圆锥端指向炉顶部，封闭管式炉，加热，使得垂直管式炉的上部温度为410～440℃、下部温度为480～540℃，中部温度梯度为8～13℃/cm，再保温120～160h；(4)安瓿随炉冷却至室温。本发明采用尖锥形设计的安瓿淘汰多余的晶核，并通过双温区垂直管式炉及其控温测温技术，制备出适合高能X、γ射线探测器用高质量的溴化铊单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 籽晶 垂直 相生 长溴化铊单晶 方法 | ||
【主权项】：
1、一种无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：(1)清洁圆柱形安瓿；(2)将溴化铊原料填充安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角15～35°、高度10～40mm的圆锥形；(3)将安瓿放入垂直管式炉，其圆锥端指向炉顶部，封闭管式炉，加热，使得垂直管式炉的上部温度为410～440℃，下部温度为480～540℃，中部温度梯度为8～13℃/cm，再保温120～160h；(4)安瓿随炉自然冷却至室温。
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