[发明专利]包括沟道层的半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种包含沟道层的半导体器件的制造方法，其包括在半导体衬底上形成单晶半导体层。该单晶半导体层具有从其表面延伸的突起。对单晶半导体层执行第一抛光工艺以除去部分突起，使得单晶半导体层包括突起的保留部分。执行不同于第一抛光工艺的第二抛光工艺以除去突起的保留部分并定义具有基本均匀厚度的大致平坦的单晶半导体层。在单晶半导体层上形成牺牲层并用作第一抛光工艺的抛光停止以定义牺牲层图案，该牺牲层图案可以在第二抛光工艺之前移除。也论述了堆叠半导体存储器件的相关制造方法。根据本发明，形成具有改善表面粗糙特性和大致均匀厚度的硅沟道层，因而，形成在硅沟道层上的晶体管可以具有改善的特性。

主权项

1.一种包含沟道层的半导体器件的制造方法，该方法包括：在单晶硅衬底上形成单晶硅层，该单晶硅层包括从其表面延伸的突起；在所述单晶硅层上形成牺牲层；在第一抛光工艺中除去部分的牺牲层和单晶硅层的部分突起，以定义牺牲层图案和突起的保留部分；除去牺牲层图案；以及之后在第二抛光工艺中平坦化所述单晶硅层的表面以除去突起的保留部分并定义出基本平坦的硅沟道层。