[发明专利]等离子加工装置和方法无效
| 申请号： | 200710169240.4 | 申请日： | 2004-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101145508A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 野上光秀;宫本荣司 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/205;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/67;C23C16/513;C23C16/509;C23F4/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种等离子加工装置和方法，其中吹送部件(152)设置有吹风口(Ia’)，该吹风口的尺寸小到不允许吹送的气流被直接地吹送到晶片W的部分上，该晶片W的部分比晶片W的外边缘更位于晶片的中心侧并且不进行等离子加工。吸入件(151)设置有与吹送部件(152)相联的吸入口(81A)。吸入口(81A)靠近吹风口(Ia’)设置并形成相对于吹送气流大致在相反方向上取向的抽吸气流。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 加工 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子加工装置，其中加工气体通过形成在一对电极之间的气体通道并等离子化，然后被等离子化的气体通过连接到气体通道的吹风口被吹送，这样晶片的外边进行等离子化加工，其中所述吹风口包括与所述晶片相交的端口轴，所述端口的直径尺寸或者宽度很小，以不允许所述吹送的气流被直接吹送到所述晶片的一部分，所述部分比所述晶片的外边更靠晶片的外侧并不进行等离子加工，以及用于相对吹送气流通常在反向方向上取向形成抽吸气流的抽吸端口被靠近所述吹风口所形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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