[发明专利]利用磁畴壁的移动的信息存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710169379.9 | 申请日： | 2007-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101207176A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 林志庆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/16;G11C11/15;H01F10/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;李友佳 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种信息存储装置及该信息存储装置的制造方法。该信息存储装置包括磁层和供应单元。所述磁层包括多个区：具有第一磁各向异性能的第一区和具有第二磁各向异性能的第二区。所述第一区和所述第二区被交替布置，并且所述第二区被掺杂杂质离子。所述第二磁各向异性能小于所述第一磁各向异性能。所述供应单元向所述磁层供应能量以使磁畴壁在所述磁层内移动。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 磁畴壁 移动 信息 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种信息存储装置，包括：磁层，在所述磁层中包括交替布置的至少一个第一区和至少一个第二区，所述至少一个第一区具有第一磁各向异性能，所述至少一个第二区具有第二磁各向异性能，所述至少一个第二区被掺杂杂质离子，所述第一磁各向异性能大于所述第二磁各向异性能。
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