[发明专利]光接收元件以及包含该光接收元件的光接收装置无效
申请号: | 200710169519.2 | 申请日: | 2007-11-08 |
公开(公告)号: | CN101237002A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 河井元良 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L31/103 | 分类号: | H01L31/103;H01L31/0232;H01L31/0224;G02B6/42 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;孙志湧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种光接收元件以及包含该光接收元件的光接收装置,其用在光系统中,防止倾斜入射在滤光膜上的光与光接收元件的光接收部分光耦合,该光系统中具有光接收元件,其放置在由多层电介质膜制成的滤光膜的发射面侧上。光遮蔽膜层形成在光接收元件自身之上。也就是说,光遮蔽膜层形成在光接收元件入射面侧上,以及开口,其形成在光遮蔽膜层上对应p区的位置。基于从入射面到光接收部分区域p区的距离,开口的尺寸可以被设置以使得仅平行或者接近该状态的光能与p区光耦合。 | ||
搜索关键词: | 接收 元件 以及 包含 装置 | ||
【主权项】:
1.一种背面入射型光接收元件,包含形成在光入射面的对面侧上的光接收部分区域,其中光遮蔽膜层,其配置在光入射面上,以及开口,在与光接收部分区域相对应的位置处,其被配置到光遮蔽膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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