[发明专利]可缩放的应变FET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 200710170211.X | 申请日： | 2007-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101207126A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | B·J·格林;S·贾恩;W·K·亨森 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过利用已知的双应力衬垫效应并使用合适几何形状的压力氮化物以在n－FET沟道内引起压应力，并在p－FET内引起张应力，描述了具有增强性能的CMOS FET器件。应力增强被设计成对PC间距不敏感，并且随多晶硅叠层的高度的减少而增加，以至可缩放性有助于所述的性能改善。n－FET充分使用能够在压力衬垫中获得的较高的应力值，其应力值大于3GPa，而张力衬垫的应力值小于1.5GPa。 | ||
| 搜索关键词： | 缩放 应变 fet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在衬底上彼此隔开的至少一个n-沟道场效应晶体管(n-FET)和至少一个p-沟道场效应晶体管(p-FET)；以及覆盖所述至少一个n-FET的栅极的第一电介质应激物层和覆盖所述至少一个p-FET的栅极的第二电介质应激物层，其中所述第一电介质应激物层是压应力的，而所述第二电介质应激物层是张应力的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
