[发明专利]晶圆结构及其形成方法

摘要

一种晶圆结构及其形成方法。首先提供具有接垫及第一保护层的晶圆，第一保护层覆盖在晶圆上，且具有第一开口暴露部分接垫。其次，在第一保护层上形成第二保护层，第二保护层具有第二开口暴露部分接垫及第一保护层。第二开口大于第一开口，两开口的边缘构成阶梯结构。接着，在接垫、阶梯结构及第二保护层上形成黏附层且在黏附层上形成光阻层，光阻层具有对应于接垫上且暴露部分黏附层的第三开口。接着，电镀阻障层覆盖在暴露的黏附层上并且在阻障层上形成湿润层。接着，移除光阻层以及未被阻障层覆盖的黏附层。然后，印刷焊料层于湿润层上。

主权项

1.一种晶圆结构的形成方法，包括：提供一晶圆，该晶圆具有一接垫及一第一保护层，该第一保护层覆盖于该晶圆上，且具有一第一开口暴露部分的该接垫；形成一第二保护层于该第一保护层上，该第二保护层具有一第二开口暴露部分的该接垫及该第一保护层，且该第二开口的尺寸大于该第一开口的尺寸，该第一开口及第二开口的边缘构成一阶梯结构；其特征在于：晶圆结构的形成方法还包括：形成一黏附层(adhesion layer)于该接垫、该阶梯结构及该第二保护层上；以及形成一光阻层于该黏附层上，该光阻层具有一第三开口，该第三开口对应于该接垫的上方，且暴露部分的该黏附层；利用电镀液电镀一阻障层(barrier layer)于该黏附层上，使该阻障层完全覆盖于暴露的该黏附层上，且该阻障层与该第三开口等宽；形成一润湿层(wetting layer)于该阻障层上；移除该光阻层；移除未被阻障层覆盖的该黏附层；以及印刷一焊料层于该湿润层上。