[发明专利]一种可提高空间成像套刻检验精准度的光罩以及光刻方法无效
申请号: | 200710170541.9 | 申请日: | 2007-11-16 |
公开(公告)号: | CN101158808A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 李杰;顾以理;朱亮;周从树;张迎春;刘夏英 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00;G03F7/00;G03F7/039;G03F7/38;G03F7/40;G03F7/26 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种可提高空间成像套刻检验精准度的光罩以及光刻方法。现有技术中光罩上的空间成像套刻标记图形的图形密度过低及前烘工艺温度过低致使承载该空间成像套刻标记图形的光刻胶的边缘斜坡过宽且不均匀,而在空间成像套刻标记图形的周围设置单层辅助条纹后并不能彻底改善上述现象。本发明的光罩在其具有的空间成像套刻标记图形的周围均设置多层用于增大其图形密度的辅助条纹,本发明的光刻方法先涂布光刻胶;接着进行温度范围为115至125摄氏度的前烘工艺;然后使用该光罩进行曝光工艺;最后进行显影和后烘工艺。本发明可大大改善承载该空间成像套刻标记图形的光刻胶边缘的斜坡过宽且不均匀的现象,并大大提高空间成像套刻检验的精准度。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 空间 成像 检验 精准 以及 光刻 方法 | ||
【主权项】:
1.一种可提高空间成像套刻检验精准度的光罩,该光罩上具有多个空间成像套刻标记图形,其特征在于,该空间成像套刻标记图形的周围设置有多层用于增大其图形密度的辅助条纹。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司,未经上海宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710170541.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备