[发明专利]根据氮化硅薄膜应力校准薄膜沉积机台中机械手位置的方法有效
| 申请号： | 200710170549.5 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101435104A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 汪丽燕;张苗;王科;万兴;王辉炎;吴秉寰;陈进财 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种根据薄膜应力校准薄膜沉积机台中机械手位置的方法，此方法采用薄膜的薄膜应力重复性和再现性数据作为薄膜沉积机台校准机械手的核定标准，因为薄膜应力对于机械手的状态反应相当灵敏。特别是在其他和薄膜应力有关的参数均不可反应薄膜应力不稳定的情况时，利用本发明的方法可以将薄膜应力控制在稳定的范围之内。 | ||
| 搜索关键词： | 根据 氮化 薄膜 应力 校准 沉积 机台 机械手 位置 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种根据薄膜应力校准薄膜沉积机台中机械手位置的方法，其特征在于，包括下列步骤：a 用薄膜沉积机台在一基材上沉积形成特定材料的薄膜；b 测量所述薄膜的薄膜应力；c 将测得的所述薄膜的薄膜应力与预定数值范围进行比较，如果所述薄膜应力超出预定数值范围，则校准所述薄膜沉积机台中机械手的位置；重复上述步骤a至c，直至所测得的所述薄膜的薄膜应力小于预定数值。
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