[发明专利]一种多晶硅栅极刻蚀的方法有效
| 申请号： | 200710170615.9 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101442001A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;杜珊珊;陈海华;马擎天 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅栅极刻蚀的方法，该方法包括完成多晶硅沉积的步骤、完成多晶硅光刻的步骤、及完成多晶硅刻蚀的步骤；所述方法还包括清洗晶片底层背面多晶硅的步骤，该步骤完成清洗晶片底层背面多晶硅的过程。本发明揭示的多晶硅栅极刻蚀的方法，通过清洗掉晶片底层背面多晶硅，来增加晶片的拉应力，从而可以有效避免栅极足的形成、提高晶片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 栅极 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅栅极刻蚀的方法，该方法包括完成多晶硅沉积的步骤、完成多晶硅光刻的步骤、及完成多晶硅刻蚀的步骤；其特征在于，所述方法还包括清洗晶片底层背面多晶硅的步骤，该步骤完成清洗晶片底层背面多晶硅的过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
