[发明专利]平面型铟镓砷红外焦平面探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种平面型铟镓砷红外焦平面器件，包括：在外延片上通过Zn扩散形成平面型pn结，其特征是：在Zn扩散区域上方周围有一加厚Cr/Au环形电极，通过Au层对入射光的反射来实现光敏元区的限定。由于加厚电极的形状由光刻图形决定，所以有效光敏元的面积可以得到精确控制。器件制备方法的特征是：在热处理前先生长SiO₂钝化膜来阻止Zn在热处理过程中的向外扩散，增强了pn结的热稳定性，而且通过控制SiO₂膜的厚度实现了对器件表面的钝化以及对光的增透。p电极采用单层Au层，简化了p电极生长工艺，这对工艺的稳定性以及器件的均匀性都有重要的意义，Au与InP粘附性较好，而且，通过SiO₂层保护下的热退火过程，可以实现与Au/Zn/Au良好的欧姆接触。

主权项

1.一种平面型铟镓砷红外焦平面探测器，包括：n-InP衬底(1)，在n-InP衬底上通过外延方法依次排列生长n-InP(2)/InGaAs本征层(3)/n-InP帽层(4)，在n-InP帽层上通过光刻、Zn扩散形成平面型pn结，在Zn扩散区域(6)及n-InP帽层上生长有一层SiO2钝化增透膜(7)，在n-InP衬底的另一面生长有一底电极层(9)，其特征在于：在SiO2钝化增透膜(7)上，对着Zn扩散区域上方周围有一环形电极(8)，被环形电极围成的Zn扩散区域为光敏元区域(10)，在光敏元区域有一从Zn扩散区域引出的P电极(8-1)，P电极与环形电极联接，P电极通过环形电极将探测信号引出。