[发明专利]V型沟道结构闪存无效
| 申请号： | 200710170742.9 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101179078A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张博 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/788;H01L29/10;H01L29/423;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种V型沟道结构闪存，包括衬底、形成于衬底上的栅极氧化物、形成于栅极氧化物上的控制栅，以及形成于控制栅两侧的侧壁浮栅，在所述栅极氧化物下端的衬底上形成V形沟道槽，存储电荷的沟道浮栅位于所述的V形沟道槽内。本V型结构闪存可通过调节沟道槽深度来控制短沟道效应导致的导通。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 结构 闪存 | ||
【主权项】：
1.一种V型沟道结构闪存，包括衬底、形成与衬底上的栅极氧化物、形成于栅极氧化物上的控制栅，以及形成于控制栅两侧的侧壁浮栅，其特征在于，在所述栅极氧化物下端的衬底上形成V形沟道槽，存储电荷的沟道浮栅位于所述的V形沟道槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
