[发明专利]淀积含碳的薄膜用于形成掺杂区域间隔层的方法有效
| 申请号： | 200710170911.9 | 申请日： | 2007-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101442004A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 汪钉崇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种淀积含碳的薄膜用于形成掺杂区域间隔层的处理方法。应用根据本发明方法形成的含碳薄膜，可以有效地阻止或减少栅极结构中掺杂剂元素例如硼向外扩散，从而防止了传统工艺中由于掺杂剂向外扩散引起的电压移位，器件电阻升高等缺点。另外采用本发明方法的热预算较低，也可以进一步提升半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 淀积含碳 薄膜 用于 形成 掺杂 区域 间隔 方法 | ||
【主权项】：
1、一种淀积含碳薄膜用于形成掺杂区域间隔层的方法，所述间隔层用于在集成电路结构中阻止该集成电路结构的掺杂区域中的掺杂剂向外扩散，其特征在于，包括以下步骤：以三甲基硅烷、四甲基硅烷、四甲基环四硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、二甲基二甲氧基硅烷、二乙氧基甲基硅烷、和NH3中的一种或任多种为原料，淀积形成含碳的氮化硅和/或二氧化硅薄膜，作为所述间隔层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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