[发明专利]半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法

摘要

本发明提出了一种半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法，在干法去除光刻胶过程中，在O₂中加入N₂和H₂的混合气体。由于N₂能够和O₂反应生成一些强氧化性的含氮自由基，对光刻胶的清除能力大大增强。使用本发明方法，能够把氮化钛薄膜表面的光刻胶彻底清除干净。在进行完MCT氮化钛刻蚀之后，同样需要进行去除光刻胶的过程，所以本发明同样适用于进行氮化钛刻蚀后的光刻胶去除过程。

主权项

1.一种半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底(3)；步骤二、在衬底上形成功能层(2)；步骤三、在所述功能层表面涂布光刻胶图案(4)形成掩膜层；步骤四、使用光刻的方法图案化所述掩膜层，若光刻满足质量要求，进入步骤五，若光刻不满足质量要求，进入步骤六；步骤五、干法刻蚀所述功能层；步骤六、使用包括氧气和氮气的混合气体，用干法去除光刻胶图案(4)；步骤七、湿法去除残留物。