[发明专利]可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作方法有效
| 申请号： | 200710171575.X | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101451272A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作方法，该氮化硅制作在已制成半导体器件的硅衬底上，且其在制作金属前介质层前制作。现有技术在完成第一和第二预沉积工艺步骤后进行连续的氮化硅沉积工艺步骤，从而使半导体器件中间隙的纵宽比较大，故增大了金属前介质层中形成空洞的概率。本发明的可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作方法依次进行第一预沉积工艺步骤、至少一主沉积工艺步骤、吹扫工艺步骤、抬升工艺步骤和抽风工艺步骤，其中，该主沉积工艺步骤包括第二预沉积工艺步骤、氮化硅沉积工艺步骤和氮气处理工艺步骤。采用本发明可减少金属前介质层中空洞的形成概率，大大提高了金属前介质层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 金属 介质 空洞 形成 概率 氮化 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作方法，该氮化硅制作在已制成半导体器件的硅衬底上，且其在制作金属前介质层前制作，该氮化硅制作方法包括第一预沉积工艺步骤、至少一主沉积工艺步骤、吹扫工艺步骤、抬升工艺步骤和抽风工艺步骤，其特征在于，该主沉积工艺步骤包括第二预沉积工艺步骤、氮化硅沉积工艺步骤和氮气处理工艺步骤。
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