[发明专利]一种可减小器件漏电流的金属电极制造方法有效
| 申请号： | 200710171607.6 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101452842A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 保罗 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可有效改善金属硅化物的形成质量，减小器件漏电流，提高器件性能的金属电极制造方法，该金属电极制造在器件硅衬底的有源区上。现有技术中的金属电极仅具有金属镍，会因镍扩散速度较快而产生较大的漏电流，并大大降低半导体器件的性能。本发明的可减小器件漏电流的金属电极制造方法先去除有源区表面的氧化层；再通过物理气相沉积工艺沉积具有金属镍和金属铂的金属层，该金属铂在金属层中的原子百分含量为5％至10％；接着进行第一次快速热处理；之后在该金属层上进行选择性湿法刻蚀工艺生成金属电极；最后进行第二次快速热处理。采用本发明的金属电极制造方法可减小器件的漏电流，并可大大提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 器件 漏电 金属电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可减小器件漏电流的金属电极制造方法，该金属电极制造在器件硅衬底的有源区上，该金属电极制造方法包括以下步骤：a、去除有源区表面的氧化层；b、通过物理气相沉积工艺沉积金属层，该金属层具有金属镍；c、进行第一次快速热处理；d、在该金属层上进行选择性湿法刻蚀工艺生成金属电极；e、进行第二次快速热处理，其特征在于，该金属层还具有金属铂，该金属铂在金属层中的原子百分含量为5％至10％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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